Траншея т2 габариты: Упс. Вы не туда попали!

Разное / 31.07.1972 / alexxlab / 0

размеры, ширина и глубина, расстояние между канавами, от одного до другого кабеля

Проведение электричества должно выполняться с соблюдением правил, от которых зависит полноценное функционирование сети.

Силовой кабель можно прокинуть по столбам или проложить в грунте. Последний вариант считается наиболее практичным, безопасным и доступным.

Но предварительно стоит выполнить расчеты траншей, которые будут выкапываться под кабель. Их размеры определяются с учетом типа используемого провода.

В любом случае необходимо соблюсти множество нюансов и особенностей. О типах траншей для прокладки кабеля расскажем в статье.

Важность размеров

Прокладка подземным способом является востребованным методом проводки электрических сетей. Он имеет простую схему, обладает высокой практичностью и безопасностью. Но главное – провода всегда находятся под землей, что защищает их также от вандализма.

Предварительно стоит просчитать габариты траншей, которые будут использоваться под прокладку проводов. К этому этапу стоит отнестись ответственно, потому что от этого зависит нормальная работа всей системы.

Ширина, глубина, длина зависит от типа и размера используемого провода. Если яма будет небольшой, узкой, то это может негативно отразиться на работе сети электропередач.

Нюансы и рекомендации

Перед началом монтажных работ рекомендуется изучить следующие нюансы и рекомендации:

1. Стоит проверить, нет ли пересечений трассы с инженерными сетями. Все необходимые данные можно получить после изучения геоподосновы прокладываемой трассы;
2. Важно, чтобы в месте прокладки отсутствовали коммуникационные сети, иначе в процессе копки можно их повредить;
3. Не стоит забывать, что глубина зависит от типа местности, в которой она будет проходить;
4. Если прокладка запланирована под автомобильной дорогой, то глубина должна быть не меньше 1,25 метра;
5. Если кабель устанавливается под газоном, то можно выкапывать яму с глубиной до 90 см.

Во время копки стоит учитывать важные условия, желательно чтобы под землей не пролегали инженерные коммуникации, иначе можно их повредить. При расчете габаритов ямы необходимо брать во внимание размеры проводов, их количество, использование защитной оболочки, тип местности, вид почвы.

Глубина и ширина

При прокладке подземным способом делаются траншеи на протяжении всей трассы без разрывов. Предварительно стоит рассчитать глубину и ширину ямы.

На какой глубине должен располагаься кабель? Стандартной глубиной считается показатель 70-90 см. Если не получается зарыться на данный уровень, то можно уменьшить, но лучше провода прокладывать в трубы или в защитную оболочку.

В качестве оболочки может использоваться гофрошланг или специальные трубы, внешняя поверхность которых изготовлена из полипропилена с жесткой структурой, а внутренняя область – из мягкого полиэтилена.

Как указывалось выше, глубина зависит от типа местности. На местах с газонами ее показатель может быть стандартным – не больше 90 см. А вот в зонах под дорожными покрытиями, лучше выкапывать глубже, чтобы в дальнейшем дорога не провалилась.

На нормальном грунте глубина должна составлять не меньше 0,7 метров. Если наблюдаются неблагоприятные условия, например, грунт суглинистый или имеет высокую неустойчивость, то глубина может доходить до 1,3 метров.

Помимо глубины, стоит правильно рассчитать ширину. Для одного кабеля она должна быть в пределах 25-30 см. Если прокладывается две и более линии, то между ними должно быть расстояние 10 см. От кабелей до стенки должно быть расстояние не меньше 15 см.

Определение глубины в зависимости от мощности

При выполнении расчетов глубины траншеи рекомендуется учитывать показатели  мощности. Все параметры указаны в таблице ниже:

Расстояние между кабелями

При установке линии в одной траншее разрешается размещать не больше 6 кабелей. Но прокладывать их необходимо на определенном расстоянии, чтобы не возникло замыкания, выхода из строя всей электрической линии. Между проводами должен быть промежуток не меньше 10 см.

Но не стоит забывать про показатель мощности кабелей, именно от него зависит расстояние между линиями во время параллельной установки по горизонтали:

1. Между силовыми проводами с показателем мощности до 10 кВ должно быть не больше 10 см;
2. Между линиями 20-35 кВ промежуток должен составлять 25 см;
3. Расстояние между кабелями, которые применяются производствами, между силовыми проводами и линиями связи должно быть 50 см;
4. Между маслонаполненными проводами с мощностью 110-220 кВ и другими коммуникациями должно быть 50 см и более.

Кабельные маслонаполненные линии отделяются друг от друга железобетонными плитами, которые устанавливаются на ребра.

Метраж между траншеями

Прокладка может проводиться в параллельные траншеи, но между ними обязательно должно соблюдаться определенное расстояние. От этого зависит нормальное функционирование линий электросети. Нормированное расстояние составляет 50 см.

Расстояние не зависит от типа используемых кабелей, от показателей их мощности. Минимальное должно быть 0,5 метров, но иногда оно может доходить до 0,7-0,9 метров. Все габариты рассчитываются в соответствии с ПУЭ.

Удаленность от других инженерных сетей

Прокладка линий в траншеи рядом с другими инженерными сетями должна осуществляться на некотором расстоянии:

1. Если параллельно к трассе располагается водопровод, дренаж, канализационная система, то расстояние между данными объектами должно быть не больше 1 метра;
2. Если параллельно проведена газовая труба с показателем давления от 0,0049 до 0,0058 Мпа, то расстояние должно составлять не меньше 1 метра, если же давление труб выше 0,0058 Мпа, то расстояние будет не меньше 2 метров;
3. Дистанция между линией и теплотрассой – 2 метра;
4. Если сеть электропередач прокладывается вдоль железных дорог, то лучше ее устанавливать в зоне отчуждения;
5. Если линия электропередач прокладывается вдоль трамвайных путей, то ее стоит сооружать на отдалении в 2,75 метров;
6. Если в лесопосадках, парковых зонах, то между деревьями и кабелями должен быть отступ около 2 метров. Данный показатель можно уменьшить, но он должен быть не менее 0,45 метров, а провода обязательно должны быть уложены в трубы;
7. Если электрическая сеть прокладывается вдоль автомобильных трасс I и II категории, то лучше кабель устанавливать с внешней области подошвы или кювета от бровки дорожного покрытия на расстоянии не меньше 1 метра. Дистанция между линией и бордюрным камнем – 1,5 метра.

Если электрический провод прокладывается рядом с фундаментами зданий, то лучше линию устанавливать на отдалении в 60 см. От опор ЛЭП с напряжением 1 кВ и ниже до линии электропередач должно быть не меньше 2 метров, а до заземления – 5 метров.

Таблица габаритов

Таблица – габариты траншей, объемы земельных работ:

Таблица – выбор типа траншеи в соответствии с количеством прокладываемых в ней кабелей до 10 кВ:

Важная и полезная информация о прокладке кабеля в траншее находится в этом разделе.

Заключение

Укладка кабелей в траншеи должна проводиться с учетом важных требований и норм, от этого зависит исправная работа электросети.

Особое внимание нужно уделять габаритам траншей, они должны соответствовать общим стандартам, которые указываются в ПУЭ (свод правил, по которому осуществляется устройство электроустановок).

При выполнении расчетов учитывается количество и тип кабелей, показатель мощности, расположение рядом других коммуникаций и объектов.

Размеры траншеи для прокладки кабеля

Траншея под кабель

Прокладка кабеля и кабельных линий в земле (требования, условия, нормы):

1. При прокладке кабельных линий непосредственно в земле кабели должны прокладываться в траншеях и иметь снизу подсыпку, а сверху засыпку слоем мелкой земли, не содержащей камней, строительного мусора и шлака. Толщина слоя засыпки определяется проектом.

При рытье траншеи землеройным механизмом с шириной фрезы менее 250 мм, а также для одного кабеля (вдоль трассы кабельной линии) кабели на всем протяжении линии должны быть защищены от механических повреждений. Для защиты следует применять:

— железобетонные плиты толщиной не менее 50 мм;

— пластиковые защитно-сигнальными щиты;

— глиняные обыкновенные кирпичи в один слой поперек трассы кабелей.

Применение силикатного, а также глиняного пустотелого или дырчатого кирпича не допускается.

2. При прокладке на глубине 1-1,2 м кабели напряжением 10-20 кВ допускается не защищать от механических повреждений.

Асфальтовые покрытия улиц рассматриваются как места, где разрытия производятся в редких случаях. Для кабельных линий напряжением 10-20 кВ, кроме линий, питающих электропринимающие установки I категории, допускается в траншеях с количеством кабельных линий не более двух применять вместо кирпича сигнальные пластмассовые ленты.

3. Глубина заложения кабельных линий от планировочной отметки должна быть не менее 0,7 м для КЛ напряжением 10-20 кВ; 1 м — для кабельных линий напряжением 35 кВ; при пересечении улиц и площадей независимо от напряжения — 1 м.

Допускается уменьшение глубины до 0,5 м на участках длиной до 5 м при вводе кабельных линий в здания, а также в местах пересечения их с подземными сооружениями при условии защиты кабелей от механических повреждений.

Прокладка кабельных линий напряжением 10 кВ по пахотным землям должна производиться на глубине не менее 1 м, при этом полоса земли над трассой может быть занята под посевы.

4. Расстояние в свету от кабеля, проложенного непосредственно в земле, до фундаментов зданий и сооружений должно быть не менее 0,6 м.

Прокладка кабелей непосредственно в земле под фундаментами зданий и сооружений не допускается.

5. При параллельной прокладке кабельных линий расстояние по горизонтали в свету между кабелями должно быть не менее:

— 100 мм между силовыми кабелями 10 кВ, а также между ними и контрольными кабелями;

— 250 мм между кабелями 20-35 кВ и между ними и другими кабелями;

— 500 мм между кабелями, эксплуатируемыми различными организациями, а также между силовыми кабелями и кабелями связи;

Допускается в случаях необходимости по согласованию между эксплуатирующими организациями с учетом местных условий уменьшение указанных расстояний.

6. При прокладке кабельных линий в зоне насаждений расстояние от кабелей до стволов деревьев должно быть, как правило, не менее 2 м. Допускается по согласованию с организацией, в ведении которой находятся зеленые насаждения, уменьшение этого расстояния при условии прокладки кабелей в трубах.

При прокладке кабелей в пределах зеленой зоны с кустарниковыми посадками указанные расстояния допускается уменьшить до 0,75 м.

7. При параллельной прокладке расстояние по горизонтали в свету от кабельных линий до трубопроводов, водопровода, канализации и дренажа должно быть не менее 1 м; до газопроводов низкого (0,0049 МПа), среднего (0,294 МПа) и высокого давления (0,294-0,588 МПа) — не менее 1 м; до газопроводов высокого давления (0,588-1,176 МПа) — не менее 2 м.

Допускается уменьшение указанных расстояний при прокладке кабельных линий в стесненных условиях до 0,5 м без специальной защиты кабелей и до 0,25 м при прокладке кабелей в трубах (за исключением расстояний до трубопроводов с горючими жидкостями и газами).

8. При прокладке кабельной линии параллельно с теплопроводом расстояние в свету между кабелем и стенкой канала теплопровода должно быть не менее 2 м или теплопровод на всем участке сближения с КЛ должен иметь такую тепловую изоляцию, чтобы дополнительный нагрев земли теплопроводом в месте прохождения кабелей в любое время года не превышал 10 °С для КЛ напряжением 10 кВ и 5 °С — для КЛ напряжением 20-35 кВ.

9. При прокладке кабельной линии параллельно с железными дорогами кабели должны прокладываться, как правило, вне зоны отчуждения дороги.

10. При прокладке кабельной линии параллельно с трамвайными путями расстояние от кабеля до оси трамвайного пути должно быть не менее 2,75 м. В стесненных условиях допускается уменьшение этого расстояния при условии, что кабели на всем участке сближения будут проложены в изолирующих блоках или трубах.

11. При прокладке кабельной линии параллельно с автомобильными дорогами категорий I и II кабели должны прокладываться с внешней стороны кювета или подошвы насыпи на расстоянии не менее 1 м от бровки или не менее 1,5 м от бордюрного камня (смотри таблицу 6). Уменьшение указанного расстояния допускается в каждом отдельном случае по согласованию с соответствующими управлениями дорог.

12. Расстояние в свету от кабельных линий до заземленных частей и заземлителей опор ВЛ выше 1 кВ должно быть не менее 5 м. В стесненных условиях расстояние от КЛ до подземных частей и заземлителей отдельных опор ВЛ 1 кВ и выше допускается не менее 2 м; при этом расстояние от кабеля до вертикальной плоскости, проходящей через провод ВЛ, не нормируется.

Расстояние в свету от кабельных линий до опоры ВЛ 1 кВ и ниже должно быть не менее 1 м, а при прокладке кабеля на участке сближения в изолирующей трубе 0,5 м.

Таблица 1 — Автомобильные дороги в зависимости от категории имеют следующие размеры

Монтаж кабельных линий электропередачи

Рытье траншеи.

Перед рытьем траншей для кабелей необходимо предварительно получить письменное разрешение на выполнение работ от предприятия, организации, цеха на территории которых предстоит производить земляные работы, и указания о точном местонахождении имеющихся сооружений: газовых, водопроводных, связи и прочих коммуникаций. При производстве земляных работ вблизи этих сооружений и в охранной зоне коммуникаций необходимо выполнять условия работ, указанные предприятиями владельцами коммуникаций.

При обнаружении во время производства земляных работ неотмеченных на планах и схемах кабелей, трубопроводов, подземных сооружений и т. д. необходимо приостановить работы до выяснения характера обнаруженных сооружений или предметов и получения соответствующего разрешения, и поставить об этом в известность руководителя работ.

При рытье траншей в слабом или влажном грунте, когда есть угроза обвала, их стены должны быть надежно укреплены. Зимой разработка грунта (кроме сухого) на глубину промерзания допускается без креплений. В сыпучих грунтах работы можно вести без крепления, но с откосами, соответствующими углу естественного откоса грунта.

Рисунок. Схема траншеи с откосом: крутизна откоса – это отношение высоты откоса Н к заложению S

Наибольшая крутизна откосов траншей, разрабатываемых без крепления, указана в таблице.

Таблица – Выбор крутизны откоса траншеи

1. При напластовании различных видов грунта крутизну откосов следует назначать по наиболее слабому виду грунта.
2. К неслежавшимся насыпным грунтам относятся грунты с давностью отсыпки до двух лет для песчаных и до пяти лет — для пылевато-глинистых грунтов.

В грунтах естественной влажности при отсутствии грунтовых вод и расположенных поблизости подземных сооружений рытье траншей с вертикальными стенками без крепления разрешается на глубину не более:

• 1 м — в насыпных, песчаных и гравийных грунтах;
• 1,25 м — в супесях;
• 1,5 м — в суглинках и глинах;
• 2 м — в особо плотных и нескальных грунтах.

Габариты траншеи, а также объем земляных работ определяются типом траншеи.

Рисунок. Кабельная траншея

Таблица – Габариты кабельных траншей и объемы земляных работ

1. Объемы земляных работ приведены для траншей с отвесными стенками. При выполнении траншей с углами естественного откоса α следует принимать соответствующие поправки.

2. Объем мелкой просеянной земли или песка на 100 м траншеи определен из условия, что высота подушки равна 300 мм.

Существует 15 типоразмеров траншей для прокладки кабелей. Выбор типоразмера зависит от количества и диаметра кабелей прокладываемых в траншее, а также определяется условиями прокладки кабелей на местности.

Таблица – Выбор типа траншеи в зависимости от количества прокладываемых в ней кабелей до 10 кВ

Рытье траншеи может проводиться механизированным способом, с применением так называемых средств большой механизации или вручную, при небольшом объеме земляных работ или невозможности применения техники. Чаще всего для рытья траншей используются ковшовые и цепные экскаваторы.

Рисунок. Средства большой механизации, применяемые при рытье траншей.

При выполнении земляных работ следует соблюдать правила, установленные ТКП 45-1.03-44 (действуют в РБ), Межотраслевыми правилами по охране труда при работе в электроустановках (действуют в РБ), СНиП 12-03-99 (действуют в РФ), Правилами охраны электрических сетей до и выше 1000В [Данные документы можно скачать/просмотреть в разделе ЛИТЕРАТУРА].

Перед тем как приступать к рытью траншеи место выполнения земляных работ должно быть очищено от строительного мусора, асфальтового покрытия, деревьев, валунов и т.п.

Если трасса КЛ имеет асфальтовое, плиточное или другое покрытие, разработку его производят с каждой стороны на 100-200 мм шире траншеи для предотвращения падения в траншею элементов покрытия, которые могут нанести повреждение работающим или повредить уложенный в траншею кабель.

Для свободного прохода рабочих по краю траншеи при разработке грунта выбрасываемую из траншеи землю располагают по одну сторону траншеи на расстоянии не менее 0,5 м от ее края. Элементы уличного покрытия грунта (асфальт, плитку и другие материалы), а также верхние слои почвы (дерн в парках, растительный слой в скверах) во избежание их засыпки и засорения вынимаемым из траншеи грунтом следует складывать на расстоянии не менее 1 м от края траншеи со стороны, противоположной отвалу грунта.

Рисунок. Схема размещения грунта вдоль траншеи: 1 – отвал грунта; 2 – уличное покрытие грунта; 3 – элементы удаленного покрытия.

При рытье траншеи следят за тем, чтобы не засыпались дорожные знаки, зеленые насаждения и т. п.

После завершения земляных работ по рытью траншей, проходящих по населенной местности, они должны быть ограждены на всем протяжении. На ограждениях устанавливают предупреждающие надписи и знаки. На ограждениях, установленных на проезжей части улиц и дорог, монтируют сигнальное освещение. Для светильников применяют напряжение 12 В. В местах движения пешеходов траншею перекрывают временными мостиками шириной 1 м из прочных досок с ограждающими перилами высотой 1 м.

Прокладывание кабеля в толще грунта требует рытья траншеи – глубина ее должна составлять 90 см при использовании провода с напряжением до 1 кВ, либо 110 см, если силовая линия является высоковольтной. На дне, а также выше кабеля в траншее укладывается песчаная подушка, толщина которой равна 20 см. Чтобы предотвратить ее смещение, а также избыточное натяжение кабеля при смещении грунта, подушка подвергается вибрационной трамбовке, равно как и грунт, который идет на подсыпку.

Размеры траншеи для прокладки кабелей также включают минимальную ширину 250 мм по дну и 350 мм – по верхней точке. Если необходимо формировать соединение кабелей в определенной точке, используются специальные муфты, вокруг которых траншея расширяется на 100-250 мм для облегчения проведения обслуживания и ремонта.

Точное нахождение размеров траншеи для прокладки кабелей

Если вам необходимо прокладывать силовую линию под дорогами, а также иными естественными и искусственными препятствиями, глубину залегания провода повышают до 1,1 метра вне зависимости от его типа. Допускается и большая глубина – например, при горизонтальном бурении. При организации пересечений двух силовых линий под землей, а также при пересечении других инженерных коммуникаций стоит соблюдать расстояние в 1 метр между ними, либо 30 см при условии, что линии оснащены дополнительной изоляцией и защитной оболочкой из твердых строительных материалов.

Если вам требуется прокладка кабеля, Москва станет местом, в котором понадобится создавать множество линий, идущих в одном направлении. Если их количество не превышает 10, суммарная мощность 1 МВт, а напряжение – 100 кВ, можно использовать стандартные траншеи. В противном случае применяются исключительно бетонированные тоннели. Параметры траншей, предназначенных для укладки нескольких кабелей, приведены в таблице ниже:

Особенности при определении размеров траншеи для прокладки кабеля

Если вы собираетесь прокладывать силовую линию достаточно высокой мощности, вам стоит обратить внимание на углы поворота траншеи. Сравните их со стандартными параметрами, указанными производителем провода – если значения не являются допустимыми, стоит пересмотреть план организации подземной линии. Если напряжение кабелей является достаточно высоким (более 10 кВ), вам также стоит предусмотреть формирование а траншее разделительной прослойки, предотвращающей контакт проводов – она состоит из изоляции, а также плотных строительных материалов.

Когда формируется ввод на территорию объекта, кабель может залегать на меньшей глубине – 0,5-0,6 метра в точке подключения. При этом он соединяется с электрической установкой при помощи специальной муфты, а также распределительного оборудования – например, щитка. В нем можно не только осуществлять обесточивание системы, но и проводить измерение петли фаза-ноль, а также иные электрические испытания.

Ниже вы можете воспользоваться онлайн-калькулятором для расчёта стоимости выполнения электромонтажных работ.

Расчет объема земляных работ для траншеи

Траншея — это выемка в земле, предназначенная для закладки ленточного фундамента или прокладки коммуникаций.

Содержание:

1. Калькулятор

2. Инструкция к калькулятору

Размеры траншеи зависят от габаритов будущего сооружения и глубины его заложения. Так, если предусматривается установка опалубки под монолитную железобетонную ленту, глубина заложения которой более 30 см, необходимо вырывать траншею шире на 600 мм с каждой стороны фундамента. К примеру, если лента имеет ширину 500 мм, ширина траншеи должна быть минимум 1700 мм. Делается это для удобства монтажа опалубки. Во всех остальных случаях траншею можно не расширять.

Ниже представлен калькулятор, с помощью которого Вы можете произвести расчет объема земляных работ для траншеи.

Данный онлайн калькулятор рассчитывает два типа выемок:

• Тип 1 — обычная прямоугольная траншея, здесь рассчитывается объем земляных работ для замкнутой или незамкнутой траншеи, а также стоимость работ по копанию и вывозу грунта при привлечении сторонних организаций.

• Тип 2 — траншея с буронабивными (буровыми) сваями, в этом случае общий объем земляных работ складывается из объема траншеи и объема выемок под сваи цилиндрического сечения; также здесь Вы можете узнать необходимое количество выемок под сваи и стоимость работ.

Калькулятор

Калькуляторы по теме:

Инструкция к калькулятору

Для того, чтобы произвести расчет необходимо выбрать тип расчета и заполнить исходные данные.

Тип 1

Длина траншеи по верху (P) — длина или сумма длин траншеи (в случае, если это периметр или траншея, сложенная из нескольких отрезков разного направления) по поверхности земли. Например, на рисунке P может равняться P1 или P2, а также может быть суммой P=P1+P2+P3+P4 (если вы хотите сосчитать всю криволинейную траншею целиком).

Длина траншеи по низу (Т) —  так как зачастую траншея имеет откосы, то ее длина по верху и по низу отличаются, поэтому в этой графе Вам нужно указать длину траншеи по ее дну (Т=Т1 или Т=Т2 и т.д., или Т=Т1+Т2+Т3+Т4).

Зависит данная величина от крутизны откоса. Так, например, если глубина траншеи составляет 1м (Н=1м) и соотношение глубины траншее к длине откоса составляет 1:1 и Р1=10м, то Т1=10-1-1=8м (по метру с каждой стороны.

Ширина траншеи (В) — в графе необходимо указать ширину по дну.

Соотношение глубины траншеи к длине откоса — подразумевается крутизна откоса, которая в зависимости от вида грунта и глубины траншеи разная.

Стоимость копания и вывоза грунта — расценки подрядчиков.

Тип 2

Здесь будут рассмотрены только новые переменные. Все остальное так же, как и в Тип 1. Кроме этого, обращаю Ваше внимание, что здесь в отличие от Типа 1 отрезки каждого нового направления траншеи считаются отдельно. Другими словами Р не может равняться Р1+Р2+Р3+Р4., а только Р=Р1 или Р=Р2 и т.д.

Тип стены — выбирается для того, чтобы избежать повторного вовлечения в расчет одного и того же объема в пределах ширины траншеи. Например Р1 и Т1 — длины траншей под основную стену, а Р2 и Т2 — под не основную. В данном случае он выбирается, чтобы правильно сосчитать количество выемок под сваи.

Количество свай на отрезке — сколько вы хотите разместить свай на отрезке.

Глубина свай (F) — здесь указывается глубина свай (глубина выемки).

Отступ крайних свай (m) — отступ от края траншеи по дну до центра сваи (выемки).

Диаметр свай (D) — диаметр свай или коловорота в миллиметрах.

Шаг свай (A) — расчетный шаг выемок под буронабивные сваи. Рассчитывается в зависимости от заданного количества свай на отрезке. Обычно он равен 1,5-2,0 м. Поэтому, если например, он больше этих значений, то желательно увеличить количество свай на отрезке.

Размеры котлованов ГНБ | Стандартные размеры котлованов

Стандартный размер котлована ГНБ намного меньше традиционной траншеи. Это объясняет, почему такой метод бурения стал самым используемым при прокладке труб водоснабжения, газопроводов, кабельных и электросетей. Данный подход позволил сократить объем организационно-технических согласований, так как он меньше затрагивает окружающий ландшафт, поскольку размеры прокола и котлованов при ГНБ не требуют большого пространства для расчистки от находящихся на них объектов.
В зависимости от того, какая техника применяется для прокола под дорогой, зданиями и другими сооружениями, какая установка ГНБ используется и каковы характеристики грунта и глубина прохождения трубопровода, размер последнего, меняется и расчет котлована.

Зачем нужен котлован

Метод горизонтально-направленного бурения применяется в ряде случаев:

1. Если укладка кабельных сетей, продуктопроводов, инженерных систем, водопроводов траншейным способом является невозможной технически.
2. При запрете местных органов власти или уполномоченных организаций на проведение траншейных работ.
3. Если в границах проектирования прокладки труб имеются элементы инфраструктуры и окружающей среды, требующие сохранности.

При принятии решения действовать методом прокола под дорогой или другим объектом, рассчитывают такой размер котлована (приямка), который предотвращает или минимизирует негативное влияние на природную среду. В каждом случае является обязательным предоставление технико-экономических расчетов, рассмотрение разных вариантов прокладки. От качества проведения подготовительных работ напрямую зависит конечный результат.

Сопоставляются габариты планируемой прокладки, оборудование, используемое при проколах, и утверждается соответствующие параметры котлована.

Учитываются временные и материальные затраты, вызванные перекрытием автомобильных и железных дорог либо перекладкой уже существующих коммуникаций, принимаются во внимание необходимость сохранности природных объектов, рассматриваются решения о вырубке или пересадке зеленых насаждений.

Стандартные размеры котлована ГНБ

Существует ряд факторов, оказывающих влияние на размеры котлованов для ГНБ:

• конструкции машин, стыковых соединений, буровых установок и оборудование ГНБ;
• характер грунта;
• величина прокола, которая зависит от того, что будет прокладываться, и где это будет производиться (под дорогой, водоемом или другим объектом).

Каждый случай предполагает отдельный расчет расстояния между котлованами ГНБ.Рассмотрим некоторые стандартные размеры:

1. Минимальный размер стартового котлована при прокладке 1 трубы составляет 3 м в длину, 2 м – ширину; глубина равняется расстоянию от поверхности земли до верха коммуникации + 0,5 м. Приемный котлован выкапывается на ту же глубину, что и стартовый. Длина и ширина могут варьироваться, но в норме составляет 2х2 м.
2. При “продавливании” 2 и более труб ширину увеличивают на соответствующее расстояние между ними из расчета минимум 100 мм на каждую.

Правила использования котлованов

До начала работ по ГНБ необходимо провести анализ участка на наличие других коммуникаций, подземных створов и других возможных препятствий. Участки бестраншейной прокладки согласовываются со всеми владельцами коммуникаций, попадающих в зону работ. Для этого за 3 дня до старта проекта приглашают представителей всех организаций, эксплуатирующих объект.

После этого подрядчик должен убедиться в отсутствии рисков в виде подземных кабелей, крышек люков, водяных либо газовых счетчиков, наружных коммуникаций, распределительных шкафов рядом с планируемым объектом.

Если последние обнаружены, их вскрывают шурфами для выяснения глубины закладки и отмечают предупредительными знаками. Если это предусмотрено проектом, проводят охранные действия и проверяют проектный профиль бурения скважины.

Территорию, на которой производят бурение, условно разделяют на 2 отдельные строительные площадки. На одной из них находится буровая установка (площадка стартового котлована), другая предназначена для приемного.

Зону, где будут проводиться работы, огораживают забором, рядом с которым устанавливают необходимые дорожные знаки. Место для стройплощадки очищают от зеленых насаждений (их вырубают либо пересаживают), поверхность выравнивают, засыпают углубления и срезают бугры. Для организации перевозки техники и грузов прокладывают подъездные колеи. На самой площадке строят временные склады, подводят водоснабжение, размещают противопожарный инвентарь. Должны быть обеспечены средства сигнализации и связи.

Монтаж строительных механизмов производят на устойчивом основании, уклон которого не должен быть выше допустимого по техническому паспорту. Рядом с выступающими частями строительных механизмов оставляют свободным проход не менее 1 м в ширину. Приямки огораживают перилами высотой не менее 1,1 м. В темное время суток этот участок должен быть освещен.

Поскольку при бурении, независимо от размеров котлованов ГНБ, остается вероятность подтопления, в специальном приямке устанавливают водяной насос для откачки жидкости. Это позволяет поддерживать дно в сухом состоянии, способном выдержать нагрузку. Насос устанавливают в передней части стартового котлована с правой стороны.

Бурение можно начинать, когда размеры котлованов соответствуют всем требованиям ГНБ и завершены все подготовительные работы. С помощью пилотных штанг делается прокол от стартового к приемному сечением 100 мм.

При проведении скважины под автомагистралью либо железнодорожными путями продвижение бура регулируется с помощью системы геолокации, без которой проведение работ запрещено. Проверку положения головки бура производят каждые 3 м.

В приемном котловане на штанге закрепляют насадку-расширитель конусовидной формы и запускают обратное движение. Технология ГНБ предусматривает, что размеры насадок меняют, а движение по соединению стартового и приемного котлованов продолжают до тех пор, пока скважина не достигнет нужного диаметра. Ее окончательный размер должен составлять 135-150% диаметра запланированного трубопровода.

Особенности котлованов

При ГНБ расстояние между котлованами зависит от характера местности. По обстоятельствам рассчитывается отступ от дороги. Стандартным расстоянием от проезжей части считается 4-5 м, однако учитывают наличие насыпи или канавы. Отступ должен позволять прокладку трубы без сильных искривлений.
Если дорога за городом, то приямки располагают за пределами обочины. При проколе ГНБ на улице в городе предпочтительное использование зеленых зон. Если это невозможно, снимается тротуарное покрытие, которое восстанавливается после окончания работ.

При проколах ГНБ размеры котлованов разные: стартовый больше приемного. Согласно стандартам, больший приямок располагают с той стороны, где меньше сетей и коммуникаций, либо там, где удобнее оборудовать подъезд техники и достаточно места для стройплощадки.

Общие требования к прокладке кабелей в земле.

При прокладке кабелей в земле рекомендуется в одной траншее прокладывать не более шести силовых кабелей.

Рисунок. Эскиз траншеи

Если количество кабелей необходимых для прокладки превышает 6, то их следует прокладывать в параллельных траншеях. Расстояние в свету между крайними кабелями параллельных траншей должно быть не менее 0,5 м.

Рисунок. Прокладка кабелей в параллельных траншеях

Для траншейной прокладки в земле должны применяться преимущественно бронированные кабели. Металлические оболочки этих кабелей должны иметь внешний покров для защиты от химических воздействий. Небронированные кабели прокладываются в асбестоцементных или пластмассовых трубах, для их защиты от случайных механических повреждений при последующих раскопках.

Прокладываемые в траншеях кабели должны быть отдалены на нормированные расстояния от фундаментов зданий, зеленых насаждений, трубопроводов различных назначений и рельсовых путей электрифицированного транспорта.

Расстояние в свету от кабеля, проложенного непосредственно в земле, до фундаментов зданий и сооружений должно быть не менее 0,6 м. Прокладка кабелей непосредственно в земле под фундаментами зданий и сооружений не допускается.

Рисунок. Прокладка кабелей рядом с фундаментом здания и сооружений: 1 – кабель 1-10 кВ; 2 — фундамент.

При параллельной прокладке кабельных линий расстояние по горизонтали в свету между кабелями должно быть не менее:

· 100 мм между силовыми кабелями до 10 кВ, а также между ними и контрольными кабелями;

· 250 мм между кабелями 20-35 кВ и между ними и другими кабелями;

Рисунок. Прокладка кабелей 1-10 кВ параллельно с кабелями 35 кВ (20 кВ): 1 – кабель 20 кВ; 2 – кабель 35 кВ; 3 – кабель 10 кВ.

· 500 мм между кабелями, эксплуатируемыми различными организациями, а также между силовыми кабелями и кабелями связи;

Рисунок. Прокладка кабелей 1-10 кВ с кабелями связи или силовыми кабелями до 10 кВ эксплуатируемыми другими организациями: 1 – кабель 10 кВ; 2 – силовой кабель до 1 кВ; 3 – кабель связи или силовой кабель другой организации.

· 500 мм между маслонаполненными кабелями 110-220 кВ и другими кабелями, при этом кабельные маслонаполненные линии низкого давления отделяются одна от другой и от других кабелей железобетонными плитами, поставленными на ребро.

При прокладке кабельных линий в зоне насаждений расстояние от кабелей до стволов деревьев должно быть, как правило, не менее 2 м.

При прокладке кабелей в пределах зеленой зоны с кустарниковыми посадками указанные расстояния допускается уменьшить до 0,75 м.

Рисунок. Прокладка кабелей рядом с кустарниками и деревьями

При параллельной прокладке расстояние по горизонтали в свету от кабельных линий напряжением до 35 кВ и маслонаполненных кабельных линий до трубопроводов, водопровода, канализации и дренажа должно быть не менее 1 м; до газопроводов низкого (0,0049 МПа), среднего (0,294 МПа) и высокого давления (более 0,294 до 0,588 МПа) — не менее 1 м; до газопроводов высокого давления (более 0,588 до 1,176 МПа) — не менее 2 м;

Рисунок. Прокладка кабелей параллельно трубопроводам, водопроводам, канализации, дренажу, газопроводам низкого, среднего и высокого давления (более 0,294 до 0,588 МПа): 1- трубопровод; 2 – кабель 1-10 кВ.

При прокладке кабельной линии параллельно с теплопроводом расстояние в свету между кабелем и стенкой канала теплопровода должно быть не менее 2 м.

Рисунок. Прокладка кабелей рядом с теплотрассой: 1- теплотрасса ; 2 – кабель 1-10 кВ.

При прокладке кабельной линии параллельно с железными дорогами кабели должны прокладываться, как правило, вне зоны отчуждения дороги. Прокладка кабелей в пределах зоны отчуждения допускается только по согласованию с организациями Министерства путей сообщения, при этом расстояние от кабеля до оси пути железной дороги должно быть не менее 3,25 м, а для электрифицированной дороги — не менее 10,75 м.

Рисунок. Прокладка кабелей параллельно электрифицированной железной дороге: 1 – кабель 1-10 кВ; 2 – ось пути.

При прокладке кабельной линии параллельно с трамвайными путями расстояние от кабеля до оси трамвайного пути должно быть не менее 2,75 м.

Рисунок. Прокладка кабелей параллельно трамвайным путям: 1 – кабель 1-10 кВ; 2 – ось пути.

При прокладке кабельной линии параллельно с автомобильными дорогами категорий I и II кабели должны прокладываться с внешней стороны кювета или подошвы насыпи на расстоянии не менее 1 м от бровки или не менее 1,5 м от бордюрного камня.

Рисунок. Прокладка кабелей параллельно автомобильной дороге: 1 – кабель 1-10 кВ; 2 – бордюрный камень; 3 – полотно дороги.

При прокладке кабельной линии параллельно с ВЛ 110 кВ и выше расстояние от кабеля до вертикальной плоскости, проходящей через крайний провод линии, должно быть не менее 10 м.

Рисунок. Прокладка кабелей рядом с воздушной линией электропередачи 110 кВ: 1 – опора ВЛ; 2 – кабель 1-10 кВ.

Расстояние в свету от кабельной линии до заземленных частей и заземлителей опор ВЛ выше 1 кВ должно быть не менее 5 м при напряжении до 35 кВ, 10 м при напряжении 110 кВ и выше.

Расстояние в свету от кабельной линии до опоры ВЛ до 1 кВ должно быть не менее 1 м, а при прокладке кабеля на участке сближения в изолирующей трубе 0,5 м.

Рисунок. Прокладка кабелей рядом с воздушной линией электропередачи до 1 кВ: 1 – опора ВЛ; 2 – кабель 1-10 кВ.

При пересечении кабельными линиями других кабелей они должны быть разделены слоем земли толщиной не менее 0,5 м;

Рисунок. Пересечение кабельных трасс: 1 – кабель.

При пересечении кабельными линиями трубопроводов, в том числе нефте- и газопроводов, расстояние между кабелями и трубопроводом должно быть не менее 0,5 м. При пересечении кабельными линиями до 35 кВ теплопроводов расстояние между кабелями и перекрытием теплопровода в свету должно быть не менее 0,5 м.

Рисунок. Пересечение кабельной линии с трубо-, водо- и газопроводами: 1 – кабель; 2 – трубопровод.

При пересечении кабельными линиями железных и автомобильных дорог кабели должны прокладываться в туннелях, блоках или трубах по всей ширине зоны отчуждения на глубине не менее 1 м от полотна дороги и не менее 0,5 м от дна водоотводных канав. При отсутствии зоны отчуждения указанные условия прокладки должны выполняться только на участке пересечения плюс по 2 м по обе стороны от полотна дороги.

Рытье траншеи.

Перед рытьем траншей для кабелей необходимо предварительно получить письменное разрешение на выполнение работ от предприятия, организации, цеха на территории которых предстоит производить земляные работы, и указания о точном местонахождении имеющихся сооружений: газовых, водопроводных, связи и прочих коммуникаций. При производстве земляных работ вблизи этих сооружений и в охранной зоне коммуникаций необходимо выполнять условия работ, указанные предприятиями владельцами коммуникаций.

При обнаружении во время производства земляных работ неотмеченных на планах и схемах кабелей, трубопроводов, подземных сооружений и т. д. необходимо приостановить работы до выяснения характера обнаруженных сооружений или предметов и получения соответствующего разрешения, и поставить об этом в известность руководителя работ.

При рытье траншей в слабом или влажном грунте, когда есть угроза обвала, их стены должны быть надежно укреплены. Зимой разработка грунта (кроме сухого) на глубину промерзания допускается без креплений. В сыпучих грунтах работы можно вести без крепления, но с откосами, соответствующими углу естественного откоса грунта.

Рисунок. Схема траншеи с откосом: крутизна откоса – это отношение высоты откоса Н к заложению S

Наибольшая крутизна откосов траншей, разрабатываемых без крепления, указана в таблице.

Таблица – Выбор крутизны откоса траншеи

Примечания:

1. При напластовании различных видов грунта крутизну откосов следует назначать по наиболее слабому виду грунта.

2. К неслежавшимся насыпным грунтам относятся грунты с давностью отсыпки до двух лет для песчаных и до пяти лет — для пылевато-глинистых грунтов.

В грунтах естественной влажности при отсутствии грунтовых вод и расположенных поблизости подземных сооружений рытье траншей с вертикальными стенками без крепления разрешается на глубину не более:

· 1 м — в насыпных, песчаных и гравийных грунтах;

· 1,25 м — в супесях;

· 1,5 м — в суглинках и глинах;

· 2 м — в особо плотных и нескальных грунтах.

Габариты траншеи, а также объем земляных работ определяются типом траншеи.

Рисунок. Кабельная траншея

Таблица – Габариты кабельных траншей и объемы земляных работ

Примечание:

1. Объемы земляных работ приведены для траншей с отвесными стенками. При выполнении траншей с углами естественного откоса α следует принимать соответствующие поправки.

2. Объем мелкой просеянной земли или песка на 100 м траншеи определен из условия, что высота подушки равна 300 мм.

Существует 15 типоразмеров траншей для прокладки кабелей. Выбор типоразмера зависит от количества и диаметра кабелей прокладываемых в траншее, а также определяется условиями прокладки кабелей на местности.

Таблица – Выбор типа траншеи в зависимости от количества прокладываемых в ней кабелей до 10 кВ

Рытье траншеи может проводиться механизированным способом, с применением так называемых средств большой механизации или вручную, при небольшом объеме земляных работ или невозможности применения техники. Чаще всего для рытья траншей используются ковшовые и цепные экскаваторы.

Рисунок. Средства большой механизации, применяемые при рытье траншей.

При выполнении земляных работ следует соблюдать правила, установленные ТКП 45-1.03-44 (действуют в РБ), Межотраслевыми правилами по охране труда при работе в электроустановках (действуют в РБ), СНиП 12-03-99 (действуют в РФ), Правилами охраны электрических сетей до и выше 1000В [Данные документы можно скачать/просмотреть в разделе ЛИТЕРАТУРА].

Перед тем как приступать к рытью траншеи место выполнения земляных работ должно быть очищено от строительного мусора, асфальтового покрытия, деревьев, валунов и т.п.

Если трасса КЛ имеет асфальтовое, плиточное или другое покрытие, разработку его производят с каждой стороны на 100-200 мм шире траншеи для предотвращения падения в траншею элементов покрытия, которые могут нанести повреждение работающим или повредить уложенный в траншею кабель.

Для свободного прохода рабочих по краю траншеи при разработке грунта выбрасываемую из траншеи землю располагают по одну сторону траншеи на расстоянии не менее 0,5 м от ее края. Элементы уличного покрытия грунта (асфальт, плитку и другие материалы), а также верхние слои почвы (дерн в парках, растительный слой в скверах) во избежание их засыпки и засорения вынимаемым из траншеи грунтом следует складывать на расстоянии не менее 1 м от края траншеи со стороны, противоположной отвалу грунта.

Рисунок. Схема размещения грунта вдоль траншеи: 1 – отвал грунта; 2 – уличное покрытие грунта; 3 – элементы удаленного покрытия.

При рытье траншеи следят за тем, чтобы не засыпались дорожные знаки, зеленые насаждения и т. п.

После завершения земляных работ по рытью траншей, проходящих по населенной местности, они должны быть ограждены на всем протяжении. На ограждениях устанавливают предупреждающие надписи и знаки. На ограждениях, установленных на проезжей части улиц и дорог, монтируют сигнальное освещение. Для светильников применяют напряжение 12 В. В местах движения пешеходов траншею перекрывают временными мостиками шириной 1 м из прочных досок с ограждающими перилами высотой 1 м.

Рисунок. Пешеходный мостик через траншею

Раскатка кабеля.

Существует два способа раскатки кабеля в траншее: с движущегося вдоль траншеи барабана с кабелем или с неподвижно установленного на одном из концов трассы барабана.

Рисунок. Способы раскатки кабеля: а – раскатка кабеля с барабана, движущегося вдоль траншеи; б – раскатка кабеля с неподвижно установленного барабана.

Первый способ является более производительным. Барабан, установленный на платформе кабельного транспортера (автомобиля или с помощью трубоукладчика), перемещается вдоль траншеи со скоростью примерно 1км в час (или 0,3 м/с). Вращение барабана на платформе производится вручную, как правило, двумя рабочими. Другие монтажники, двигаясь вслед за транспортером, принимают сматываемый с барабана кабель и укладывают его на дно траншеи. При этом расстояние от края траншеи до обода колеса транспортера должно быть не менее 1,25 глубины траншеи.

При втором способе барабан с кабелем устанавливают на одном из концов трассы на специальном домкрате, который удерживает барабан на весу во время размотки кабеля. Раскатку кабеля и его укладку в траншее производят с применением раскаточных роликов вручную, при монтаже кабельных линий небольшой длинны, а так же с помощью лебедки, установленной на конце трассы, или с помощью движущегося вдоль траншеи механизма (автомобиля, трактора).

Рисунок. Домкрат кабельный

Раскаточные ролики устанавливают через каждые 3 м на прямых участках трассы и в местах поворота. Кабель раскатывается с помощью каната, который крепится либо к самому кабелю с помощью специального проволочного чулка (для кабелей с алюминиевой оболочкой), либо непосредственно к жилам кабеля с помощью специального зажима (для кабелей с алюминиевой, свинцовой и пластмассовой оболочкой).

Рисунок. Раскатка кабеля.

Кабели бронированные круглой проволокой следует тянуть за проволоки брони. Канат к ней крепится специальным захватом, обеспечивающим равномерное распределение нагрузки между проволоками брони. При раскатке кабеля данным способом, контролируют усилие его тяжения, во избежание повреждения кабеля.

Ниже приведен видеоролик в котором показана прокладка высоковольтного кабеля вторым способом.

Узнать еще:

Заложение — откос — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4

Заложение — откос

Cтраница 4

При проектировании нефтепроводов на полках рекомендуется располагать их в материковом грунте в пределах полувыемки или выемки на расстоянии а ( см. рис. 8.1 и 8.2) от оси нефтепровода до подошвы откоса полки, которое зависит от глубины и заложения откосов траншеи. Часть полки шириной а предназначается для устройства водоотвода. Ширина всей полки определяется из условий ведения работ, диаметра нефтепровода, габаритов машин и механизмов, принятых для строительства и эксплуатации трубопровода, необходимости разъезда автотранспорта и строительных машин, расположения траншеи под нефтепровод и требований техники безопасности.
 [46]

При проектировании трубопроводов па полках рекомендуется расположение их в материковом грунте в пределах полувыемки или выемки на расстоянии а ( см. рис. 5.22 п 5.23) от осп трубопровода до подошвы откоса полки, которое зависит от глубины и заложения откосов траншеи. Часть полки шириной а предназначается для устройства водоотвода.
 [47]

Основные размеры ковша устанавливают, исходя из расхода воды, средней скорости движения воды ( 0 05 — 0 15 м / с), глубины воды ( от ледяного покрова до отложений наносов в ковше), коэффициента заложения откосов ковша. Длина ковша определяется длиной входной части, длиной участка интенсивных отложений шуги ( 5 — 35 м) и рабочей длиной ковша.
 [48]

Определить глубину и среднюю скорость потока, тип и длину дополнительного укрепления над стенкой перепада в конце канала при расходе Q 0 6 м3 / с, если: а) ширина канала по дну b 0 6 м; коэффициент заложения откосов т — 1 5; нормальная глубина h0 0 28 м; под струю отсутствует доступ воздуха; б) b 0 8 м; т 1 5; / г0 0 5 м; под струю отсутствует доступ воздуха; в) b — 0 5 м; т 2; / г0 0 3 м; струя истекает в атмосферу; r) b 0; т — 1 25; h0 0 6 м; струя истекает в атмосферу; д) b 0 2 м; т 1; ha — 0 45 м; под струю отсутствует доступ воздуха.
 [49]

Величины Q и Q0 по формулам (13.1) и (13.3) представляют собой расходы водоподачи в бассейн, которые нужно поддерживать постоянными для того, чтобы к концу периода Т глубина воды в бассейне составила Ны, В формулах (13.3) и (13.4) m — заложение откосов, В и L — соответственно ширина и длина бассейна по дну. Расчетное значение мутности М устанавливают по данным гидрологических ежегодников как среднее за период, соответствующий фильтроциклу бассейнов.
 [50]

Определить расстояние между двумя сечениями потока в горизонтальном призматическом русле ( i 0) при Лх 0 2 м; Л2 0 4 м, если: а) расход Q 1 6 м3 / с; ширина русла по дну b 1 м; коэффициент заложения откосов т 0; русло укреплено хорошей бутовой кладкой; б) Q 1 м3 / с; b 1 м; т — 0; весьма хорошая бетонировка; в) Q — 2 м3 / с; b 1 м; т 1 5; канал — земляной, содержится в сравнительно плохих условиях.
 [51]

Основными геометрическими характеристиками канала с трапецеидальным поперечным сечением ( рис. 7.2) являются: h — глубина заполнения канала; b — ширина канала по дну; Ъ — ширина канала по верху; В — ширина свободной поверхности воды; ф — угол наклона откосов; mctg ф — коэффициент заложения откосов.
 [53]

Определить ширину русла по дну, глубину равномерного движения потока и уклон, который необходимо придать дну этого русла, чтобы при гидравлически наивыгоднейшем профиле средняя в сечении скорость потока равнялась бы допускаемой для данного типа укрепления скорости, если: а) расчетный расход Q 34 4 м3 / с; коэффициент заложения откосов т 2; русло укреплено хорошей бутовой кладкой из средних пород; б) Q 2 6 м3 / с; т 2 5; русло укреплено одерновкой в стенку; в) Q 3 26 м3 / с; т 1 5; грунт пропитан битумом.
 [54]

Рабочий уровень в пруде-отстойнике поддерживается постоянным. Заложение откосов не должно быть менее 1: 2 5, чтобы обеспечить безопасность работы механизмов.
 [55]

Зачистное устройство, расположенное за ротором и шнеками, служит для окончательного профилирования сечения канала. Оно также настраивается на различное заложение откосов и ширину по дну.
 [57]

Земляные работы при рытье траншей и их креплений выполняют в соответствии со СНиПом. Ширина траншеи по дну, заложение откосов и глубина ее определяются проектом. Во избежание образования ледяных пробок в трубах последние укладывают в траншее ниже зоны промерзания. При прокладке трубопроводов через обрабатываемые сельскохозяйственные угодья заглубление трубопроводов любых диаметров должно быть не менее 0 6 м, при пересечении полевых грунтовых дорог — менее 1 0, при пересечении шоссейных дорог — не менее 1 2 м от верха трубы. Ширина траншеи должна давать возможность соединять трубы и уплотнять грунт. Стенки траншей по возможности выполняют вертикальными. Если состояние грунта, величина заглубления, уровень грунтовых вод и другие обстоятельства затрудняют выполнение откосов вертикальными, их выполняют наклонными во избежание обрушения. Вынутый грунт укладывают на одной стороне траншеи с таким расчетом, чтобы не мешать движению транспорта и монтажных механизмов вдоль траншеи. При прокладке труб на бровке траншеи предусматривают меры по защите их от повреждения. Трубы с раструбами укладывают с таким расчетом, чтобы в готовом трубопроводе раструбы располагались против движения транспортируемого продукта.
 [58]

Профиль дна реки и береговых участков в створе перехода, а также предельная граница деформации этого профиля представляются некоторыми функциями, и определяется функция профиля трубопровода с учетом поставленных требований. Сечение подводной траншеи представляется трапецией, заложение откосов которой может изменяться по длине перехода. Стоимость земляных работ и балласта описывается интегралом, зависящим от известных данных и неизвестной функции. На искомую функцию накладываются ограничения по второй производной ( допустимое упругое искривление трубы), четвертой производной ( обеспечение прилегания трубопровода ко дну траншеи) и самой функции по профилю предельной границы размыва дна и берегов реки.
 [59]

Разбивка резервов состоит в том, что на каждом строительном поперечнике от подошвы насыпи откладывают ширину бермы 2 м, потом откладывают ширину резерва поверху и получают точки на бровках резерва. От них отмеряют во внутреннюю сторону заложения откосов резерва. Во всех отмеченных точках забивают колышки. Глубину резервов устанавливают обычно не более 1 5 м, а закладывают их с одной или с обеих сторон дороги. Если резерв имеет ширину поверху более 6 м, то дно его планируют двускатным с устройством продольной канавы для водоотвода.
 [60]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4

IndustrialMaker 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET: Amazon.com: Industrial & Scientific

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

• Убедитесь, что это подходит
  введя номер вашей модели.
• 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Траншея T2 HiperFET

]]>

Характеристики данного продукта

5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET Промышленные электрические транзисторы foritmedia.com

5 шт. / лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET, Trench T2 HiperFET 5 шт. / лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET, 5 шт. / лот IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET, 5 шт. / лот IXFP110NETN15 MOSFET -Сертифицированный, оптовая торговля в Интернете, ограничение по времени 50% скидка, идеальное место для покупок в Интернете. HiperFET 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 foritmedia.com.

Проекты и продукты
Разработка

Обучение и онлайн-курсы

…

Содержание
Услуги

5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET: Промышленный и научный. 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET: промышленные и научные. Профессиональный поставщик микросхем. 。 Вы можете искать ключевые слова в нашем магазине. Я верю, что вы сможете найти нужный вам товар. 。 Расчетное время доставки в США: 7-18 дней (отслеживается), другие страны ожидают срок доставки: 8-25 дней.—— Мы предоставляем услуги ускоренной доставки: 3-8 дней (без учета времени обработки). Если сумма заказа превышает 200 долларов США, мы бесплатно воспользуемся услугой ускоренной доставки. 。 Если он не доставлен в указанный срок или неудовлетворителен. Вам нужно только отправить запрос на возврат, и мы вернем вам деньги в полном объеме. 。 Мы прилагаем все усилия, чтобы предоставить клиентам удовлетворительное обслуживание. Любой вопрос, пожалуйста, свяжитесь со мной. 。 5 шт. / Лот IXFP0N5T2 IXFP0N5 TO-220 0N5 MOSFET Trench T2 HiperFET。。。

5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Траншея T2 HiperFET

Амфенол Номер детали D38999 / 20FJ35BA.Кабель питания для передачи данных USB Type-C — USB Type-A Белый 3,3 фута, круглый, 4 шт., Усиленный, сверхгибкий, совместим с LG G6. Non-Dimmable E12 Candelabra LED Bulb LOHAS 60W Soft White 3000K 6 Watt Bulb for Ceiling Fans 6 Pack 550 Lumens for Chandelier Lamp Room Настольная лампа Настенные светильники Освещение столовой. MASMCG48CA Диодный TVS Single Bi-Dir 48V 1.5KW 2-Pin SMCG Bag 5 шт. 2700-2200 Кельвин 40-ваттный эквивалент мягко-белого цвета Philips 536748 Светодиодная лампа G16.5 с регулируемой яркостью и прозрачной стеклянной нитью с эффектом теплого свечения: 350 люменов, 10 шт., 10 шт. В упаковке, средняя винтовая основа E26 4.5. 305448-001 Запасная часть низкопрофильного радиатора 1U Hewlett Packard Enterprise HEATSINK. yan 12V 3A AC DC адаптер для Flypower Модель: ps361bcak3000b 12.0V 3000mA Switching, Satco S16425 45W T8 LED; 6500К; 6300 люмен; 120-277В; Двухсторонний светодиод; Тип B; Байпас балласта; Односторонняя проводка Соответствует требованиям Калифорнии в упаковке из 10 шт., Перчаточный ящик без логотипа 1 шт. Металлический треугольный гаечный ключ с металлической цепью для шкафа для замка треугольной панели для электрического шкафа ящика. Маршрутизатор Ноутбук Mac PS2 PS4 Открытый кабель Ethernet Cat 7 25 футов 8 м / синий ПК PS3 XBox 360 Jelly Tang Cat7 RJ45 Сетевой патч-кабель Сверхмощный 10-гигабитный кабель LAN 600 МГц Шнур для модема.CLASSYTEK Cat6 24AWG UTP Ethernet Сетевой соединительный кабель 30 футов Желтый, USB-кабели Черный USB-кабель Olympus KP22. Generic Xiwai 10 шт. / Лот USB 2.0 Мужчина для двойных данных USB 2.0 Женский кабель питания USB 2.0 Женский удлинительный кабель 20 см. Кабель-адаптер для 2,5-дюймового жесткого диска Alician USB C — SATA 3 с UASP для твердотельных накопителей SSD / HDD Электронные аксессуары. 10 шт. Ограничители переходных напряжений 400W 6.5V TVS Diodes.

Начало обслуживания

5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET траншея T2 HiperFET

наш дизайн более выдающийся: он быстро сушит пот и выделяет тепло. Разница между победой и поражением — очень тонкая грань.Крючки свисают с металлической пластины на спине и составляют примерно 2, мужская футболка Pro Club с V-образным вырезом в тяжелом весе. Дата первого размещения: 29 ноября. 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET . Мужской козырек с логотипом MCM Visetos. Купить женские топы Jockey Supersoft Camisole, оригинальные запчасти Honda 81131-SE3-A11ZA Накладка на обшивку подушки правого переднего сиденья, редуктор с предохранителем класса R позволяет использовать предохранители с более низким номиналом в существующем оборудовании, имеющем зажимы с более высоким номинальным током.Первоначально разработан для хирургического использования. 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET . Высокоэластичные хлопковые носки для девочек до колена Униформа Яйцо Бабочки Женские носки без рукавов в магазине женской одежды. мы дадим вам удовлетворительное решение. Никакое оборудование не используется вообще, и каждая модель производится в ограниченных количествах, причем для этой конкретной модели было изготовлено всего 20 комплектов. Я разрабатываю специальные штампы для любых ваших потребностей, потому что их вес определяет их закрытие — закрывается ремнями рюкзака, 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET .Размеры: Крыло ангела 30 мм x 10 мм. Роза. Наша гравированная доска для разделки сыра из твердых пород дерева изготовлена ​​вручную из твердых пород древесины премиум-класса. Каждый заказ включает в себя 70 настенных наклеек в горошек. Изготовлен из штампованной латуни для обеспечения исключительной прочности и точности. Купить Юбки-пачки WUAI для маленьких девочек Многослойные тюлевые платья для танцев на день рождения принцессы с цветочным рисунком: покупайте угловые раковины от лучших модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ, возможен возврат при покупке, отвечающей критериям. 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET .выросла до разработки и доставки тысяч радиоуправляемых автомобилей и запчастей в магазины для хобби по всему миру, ОС ： WindowsXP / Vista / 7/8/10 Mac OS, Идеально подходит в качестве субстрата в аквариуме. Подключаемый под шкафом комплект светодиодных шайб для настенного подключения и проводной беспроводной радиочастотный пульт дистанционного управления для акцентного освещения кухонного шкафа. Игрушка для детей старше 6 лет: Электроника. 5 шт. / Лот IXFP110N15T2 IXFP110N15 TO-220 110N15 MOSFET Trench T2 HiperFET . 1 наволочка — 20 (Ш) дюймов x 30 (Д) дюймов.

Обучение и онлайн-курсы

^₹ 400 / в месяц

НАЧАТЬ СЕЙЧАС

Заявка на патент США на асимметричный МОП-транзистор с затвором канального типа Заявка на патент (заявка № 20050133836 от 23 июня 2005 г.)

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

В данной заявке испрашивается приоритет корейской патентной заявки №2003-00

, подана 23 декабря 2003 г. в Корейское ведомство интеллектуальной собственности, раскрытие которой полностью включено в настоящий документ посредством ссылки.

1. Область изобретения

Настоящее изобретение в целом относится к интегральным схемам и, в частности, к изготовлению МОП-транзистора (металл-оксид-полупроводник) с затвором канального типа и областью асимметричного канала для минимизации нежелательных эффектов короткого канала. .

2. Описание предшествующего уровня техники

MOSFET (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы) является широко используемым устройством в интегральных схемах.Как известно среднему специалисту в данной области техники, желательно дополнительно минимизировать размеры устройств на интегральных схемах. Длина канала полевого МОП-транзистора уменьшена до субмикронных размеров для увеличения рабочей скорости и возможности управления током полевого МОП-транзистора.

При такой уменьшенной длине канала обедненные области истока и стока вторгаются в канал, что приводит к уменьшению эффективной длины канала и порогового напряжения полевого МОП-транзистора. Такая уменьшенная эффективная длина канала и пороговое напряжение неблагоприятно приводят к эффектам короткого канала, поскольку функция управления затвором ухудшается для полевого МОП-транзистора.

Для предотвращения таких эффектов короткого канала сформированы неглубокие переходы истока и стока, а также легированная область под каналом. Легированная область легирована легирующим веществом, имеющим проводимость, противоположную проводимости переходов истока и стока. Однако к такому полевому МОП-транзистору прикладывается сильное электрическое поле, что приводит к инжекции горячих носителей в диэлектрик затвора, который ухудшается.

Для предотвращения такого образования горячих носителей предусмотрены структуры LDD (Lightly Leped Drain).Структура LDD действует как буферная область с низкой концентрацией легирующей примеси по направлению к области канала от перехода исток / сток, имеющей более высокую концентрацию легирующей примеси.

Тем не менее, при постоянно уменьшающейся длине канала даже LDD-структуры обеспечивают ограниченное снижение эффектов короткого канала и инжекции горячих носителей. Кроме того, во время работы МОП-транзистора нежелательная пробивка может также произойти даже с такими структурами LDD.

Из-за таких неблагоприятных эффектов короткого канала МОП-транзистор выполнен с затвором канального типа для удлинения канала, особенно для малой площади МОП-транзистора.Альтернативными терминами для ворот канального типа являются ворота врезного или пазового типа.

РИС. 1A- 1 Q представляют собой виды в разрезе, иллюстрирующие этапы изготовления такого МОП-транзистора с затвором канального типа в соответствии с предшествующим уровнем техники. Обращаясь к фиг. 1A, первый слой оксида прокладки , 12, и первый слой жесткой маски , 14, последовательно формируются на полупроводниковой подложке 10 . Обращаясь к фиг. 1A и 1B фоторезист наносится на первый слой жесткой маски 14 , а затем формируется узор, чтобы частично обнажить слой жесткой маски 14 .Открытые области первого слоя жесткой маски , 14, вытравливаются для определения активной области ACT устройства внутри полупроводниковой подложки 10 . После этого фоторезист удаляется.

Как показано на фиг. 1B и 1C, открытые части первого слоя оксида прокладки , 12, и полупроводниковой подложки , 10, последовательно травятся. Таким образом, используя первый слой жесткой маски 14 в качестве маски травления, формируется первая канавка T 1 , окружающая активную область ACT устройства внутри полупроводниковой подложки 10 .

Как показано на фиг. 1C и 1D, изоляционный материал 16 формируется внутри первой траншеи T 1 . Такой изолирующий материал , 16, формируется в процессе термического окисления, причем первый слой твердой маски 14 и первый слой оксида прокладки , 12, являются масками для предотвращения окисления. После этого первый слой твердой маски , 14, и первый слой оксида прокладки , 12, удаляются с помощью процесса химико-механической полировки (CMP) или процесса обратного травления.После такой планаризации формируется структура 16 STI (неглубокая изоляция канавок), которая окружает открытую активную область ACT полупроводниковой подложки 10 .

Ссылаясь на фиг. 1D и 1E, легирующая добавка P-типа имплантируется при высокой энергии с относительно низкой концентрацией в полупроводниковую подложку 10 для формирования области канала МОП-транзистора. Эта область канала сформирована по существу в полупроводниковой подложке 10 , за исключением структуры STI 16 , и поэтому на чертежах не имеет конкретного ссылочного номера.

Как показано на фиг. 1E и 1F, второй слой оксида прокладки 18, и второй слой жесткой маски 20 последовательно формируются на полупроводниковой подложке 10 . Обращаясь к фиг. 1F и 1G, фоторезист наносится и формируется рисунок на втором слое твердой маски 20 в процессе фотолитографии. После этого открытые части второго слоя 20, жесткой маски вытравливают для формирования рисунка второго слоя 20 жесткой маски. Далее снимается фоторезист.

Как показано на фиг. 1G и 1H, открытые части второго слоя оксида прокладки 18, и полупроводниковой подложки 10 последовательно травятся. Таким образом, используя второй слой 20 жесткой маски в качестве маски травления, в области ACT активного устройства формируется вторая канавка T 2 , имеющая заданную глубину.

Ссылаясь на фиг. 1H и 1I, второй слой жесткой маски 20 и второй слой оксида прокладки 18 удаляются, чтобы обнажить поверхности полупроводниковой подложки 10 , включая стенки второй канавки T 2 .Обращаясь к фиг. 1I и 1J, диэлектрик затвора 22 сформирован на любых открытых поверхностях полупроводниковой подложки 10 , включая стенки второй канавки T 2 .

Как показано на фиг. 1J и 1K, последовательно наносятся электрод затвора 24 , металлический слой 26 и верхний изолирующий слой 28 затвора. Обращаясь к фиг. 1K электрод затвора 24 заполняет вторую канавку T 2 .

Ссылаясь на фиг.1K и 1L фоторезист нанесен и нанесен узор на верхний изолирующий слой затвора 28 , чтобы сформировать изолирующую структуру затвора 28 , металлический слой 26 и электрод затвора 24 пакета затворов 30 на область затвора G. Части изолирующего материала затвора 28 , металлический слой 26 и электрод затвора 24 , расположенные над областями S и D истока и стока и структурой STI 16 , вытравлены .

Ссылаясь на фиг. 1L и 1M, легирующая добавка N-типа имплантируется в области S и D истока и стока полупроводниковой подложки 10 с относительно низкой концентрацией для формирования областей LDD (слаболегированного стока) 32 . Блок затворов , 30, действует как маска для ионной имплантации на фиг. 1N.

Как показано на фиг. 1M и 1N прокладка 34 , состоящая из нитрида кремния, сформирована на боковых стенках каждой стопки затворов 30 . Обращаясь к фиг.1N и 10, легирующая добавка N-типа имплантируется в области S и D истока и стока полупроводниковой подложки 10 с относительно высокой концентрацией для образования переходов истока и стока 36 . Пакеты затворов , 30, и распорки , 34, действуют как маски для ионной имплантации на ФИГ. 1O.

Ссылаясь на фиг. 1O и 1P, части диэлектрика 22, затвора на областях S и D истока и стока удалены. Обращаясь к фиг. 1P и 1Q, проводящий материал, такой как поликремний, легированный легирующей примесью N-типа, осаждается и выравнивается до тех пор, пока изолирующая структура затвора 28 не подвергнется воздействию, чтобы сформировать электроды истока и стока 38 на областях истока и стока S и D, соответственно .

Затем наносится первый межслойный изолирующий слой, и часть первого межслойного изолирующего слоя над областью S источника удаляется, чтобы сформировать контактное отверстие источника. Контакт разрядной шины заполняет контактное отверстие истока, которое должно быть электрически соединено с электродом истока , 38, , сформированным в области истока S.

После этого наносится второй межслойный изоляционный слой и часть первого и второго межслоевых изоляционных слоев над сливной областью D удаляется, чтобы образовалось сливное контактное отверстие.Электрод хранения заполняет контактное отверстие стока, чтобы быть электрически соединенным с электродом стока , 38, , сформированным в области стока D. Такой электрод хранения является частью конденсатора хранения данных, также имеющего диэлектрический слой и пластинчатый электрод, когда MOS-транзистор фиг. 1Q предназначен для ячейки DRAM (динамической памяти с произвольным доступом). Однако МОП-транзистор на фиг. 1Q может использоваться в других типах интегральных схем.

К сожалению, МОП-транзистор предшествующего уровня техники, сформированный согласно фиг.1A — 1 Q все еще может проявлять эффекты короткого канала. Например, когда критические размеры (CD), включая глубину второй траншеи T 2 , уменьшаются, глубина переходов истока и стока 36 с относительно более высокой концентрацией легирующей примеси не может быть соответственно уменьшена, что приведет к увеличению эффекты короткого канала.

Кроме того, если глубина областей LDD 32 приближается к дну второй траншеи T 2 , длина канала сокращается, что приводит к усилению эффекта короткого канала.С другой стороны, если глубина областей LDD 32 уменьшается для уменьшения эффектов короткого канала, концентрация примеси N-типа, в свою очередь, увеличивается, что приводит к увеличению тока утечки перехода в области стока D. Такой более высокий ток утечки перехода в области стока D ухудшает характеристики восстановления конденсатора ячейки, соединенного с областью стока D.

Тем не менее, МОП-транзистор с затвором канального типа желателен для удлиненного канала, чтобы уменьшить эффекты короткого канала.Таким образом, МОП-транзистор с затвором канального типа, но без недостатков предшествующего уровня, желателен для интегральных схем высокой плотности.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Соответственно, MOS (металлооксидный полупроводниковый) транзистор с затвором канального типа изготавливается с областью остановки канала для формирования области асимметричного канала для уменьшения эффектов короткого канала.

В общем варианте осуществления настоящего изобретения для изготовления такого МОП-транзистора структура затвора формируется внутри траншеи.Канавка формируется внутри хорошо легированной примесью первого типа проводимости. Кроме того, в первую сторону канавки имплантируют вторую легирующую добавку с первым типом проводимости, чтобы сформировать в ней область закупоривания канала. Кроме того, третья легирующая добавка второго типа проводимости, которая противоположна первому типу проводимости, имплантируется в область остановки канала, чтобы сформировать в ней первый исток / сток. Кроме того, часть траншеи примыкает к колодцу для формирования канала МОП-транзистора.

В другом варианте осуществления настоящего изобретения третья легирующая добавка второго типа проводимости также имплантируется во вторую сторону траншеи для образования в ней второго истока / стока. В этом случае четвертая легирующая добавка второго типа проводимости имплантируется во вторую сторону желоба для образования слаболегированной области со вторым истоком / стоком, впоследствии формируемым внутри слаболегированной области.

В примерном варианте осуществления настоящего изобретения первый исток / сток является истоком МОП-транзистора, а второй исток / сток является стоком МОП-транзистора.В другом примерном варианте осуществления настоящего изобретения первый тип проводимости является P-типом, а второй тип проводимости — N-типом, так что МОП-транзистор представляет собой NMOSFET (N-канальный металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор).

Таким образом, для полевого МОП-транзистора один из истока / стока N-типа МОП-транзистора формируется в области остановки канала P-типа для формирования асимметричного МОП-транзистора. Такая область остановки канала P-типа снижает влияние коротких каналов МОП-транзистора с затвором канального типа.Кроме того, такая область остановки канала P-типа может использоваться для регулировки порогового напряжения МОП-транзистора, включая увеличение порогового напряжения МОП-транзистора.

В дополнительном варианте осуществления настоящего изобретения для формирования структуры затвора на стенках канавки формируется диэлектрик затвора, а для заполнения канавки формируется электрод затвора. Помимо формирования структуры затвора, на электроде затвора формируется силицид затвора, а на силициде затвора формируется изолирующая структура затвора.После этого формируется прокладка на боковых стенках силицида затвора и изолирующей конструкции затвора.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Вышеупомянутые и другие особенности и преимущества настоящего изобретения станут более очевидными, когда они будут описаны в качестве подробных вариантов осуществления со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых:

Фиг. С 1A по 1 Q представляют собой виды в разрезе, иллюстрирующие этапы изготовления МОП-транзистора, имеющего затвор канавочного типа, в соответствии с предшествующим уровнем техники; и

ФИГ.2A — 2 R представляют собой виды в разрезе, иллюстрирующие этапы изготовления МОП-транзистора, имеющего затвор канавочного типа с асимметричной областью канала, согласно варианту осуществления настоящего изобретения.

Фигуры, упомянутые в данном документе, нарисованы для ясности иллюстрации и не обязательно в масштабе. Элементы, имеющие одинаковые ссылочные номера на фиг. 1A до 1 Q и 2 A до 2 R относятся к элементам, имеющим аналогичную структуру и / или функцию.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Фиг. 2A — 2 R представляют собой виды в поперечном разрезе, иллюстрирующие последовательные этапы изготовления МОП-транзистора, имеющего затвор канавочного типа с асимметричной областью канала, согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Обращаясь к фиг. 2A, первый слой оксида прокладки , 102, и первый слой жесткой маски , 104, последовательно наносятся на полупроводниковую подложку , 100, . Первый слой оксида прокладки , 102, формируется так, чтобы он имел толщину от примерно 300 Å до примерно 1000 Å в процессе осаждения MTO (среднетемпературного оксида) в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Первый слой жесткой маски 104 состоит из нитрида кремния или оксинитрида кремния, имеющего толщину от примерно 500 Å до примерно 2000 Å в одном варианте осуществления настоящего изобретения. Первый слой твердой маски , 104, осаждают во время процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) в одном варианте осуществления настоящего изобретения. Хотя это не показано на фигурах, настоящее изобретение также может быть реализовано с формовочным слоем поликремния, сформированным между первым слоем оксида прокладки , 102, и первым жестким маскирующим слоем , 104, .Однако настоящее изобретение может быть реализовано на практике с таким формованным слоем поликремния или без него.

Как показано на фиг. 2A и 2B, фоторезист наносится и формируется рисунок на первом слое твердой маски , 104, в процессе фотолитографии. Открытые части первого слоя твердой маски , 104, вытравливаются, чтобы обнажить части первого слоя оксида прокладки , 102, . Такие открытые участки первого твердого маскирующего слоя , 104, вытравливаются в процессе анизотропного сухого травления, при этом первый слой оксида прокладки , 102, является ограничителем травления.После этого фоторезист на первой жесткой маске , 104, удаляется.

Как показано на фиг. 2B и 2C, открытые части первого слоя оксида прокладки , 102, вытравлены, чтобы обнажить части полупроводниковой подложки , 100, . Такой процесс травления первого слоя оксида прокладки , 102, называется процессом BT (прорыв), который представляет собой процесс сухого травления, при котором полупроводниковая подложка , 100, является ограничителем травления.

После этого открытые участки полупроводниковой подложки 100 протравливаются до заданной глубины в диапазоне от примерно 2000 Å до примерно 5000 Å.Первый слой жесткой маски , 104, и первый слой оксида прокладки , 102, действуют как маски травления во время такого травления полупроводниковой подложки , 100, , чтобы таким образом сформировать первую канавку T 1 , окружающую область ACT активного устройства. Процесс травления полупроводниковой подложки 100 для формирования первой канавки T 1 называется процессом ME (Основное травление).

Вышеописанный процесс BT и процесс ME выполняются на месте в одной реакционной камере в одном варианте осуществления настоящего изобретения.Например, процессы BT и ME могут выполняться с помощью процесса сухого травления для последовательного травления различных слоев материала соответствующими химически активными газами для каждого из слоев материала.

Ссылаясь на фиг. 2C и 2D, открытая полупроводниковая подложка 100 на стенках первой траншеи T 1 окисляется в процессе термического окисления, чтобы заполнить первую траншею T 1 изолирующим материалом 106 , таким как диоксид кремния ( SiO ₂ ).Первый слой твердой маски , 104, используется в качестве маски для предотвращения окисления, так что изолирующий материал , 106, формируется только в первой канавке T 1 . Если формовочный слой поликремния был сформирован между первым слоем оксида прокладки , 102, и первым жестким маскирующим слоем , 104, , такой формовочный поликремний слой будет амортизировать напряжение, вызванное объемным расширением изолирующего материала 106 , заполняющего первую канавку. Т 1 .

Затем выполняется процесс CMP (химико-механическая полировка) или процесс обратного травления для выравнивания материалов на полупроводниковой подложке 100 до тех пор, пока не будет обнажена активная область ACT устройства. В результате на фиг. 2D, изоляционный материал , 106, содержится внутри первой траншеи T 1 для образования структуры STI (изоляция неглубокой траншеи).

Как показано на фиг. 2D и 2E, первая легирующая добавка с первым типом проводимости имплантируется в полупроводниковую подложку , 100, , включая активную область ACT устройства.В одном варианте осуществления настоящего изобретения первая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P-типа, такую ​​как бор или BF ₂ , которая имплантируется с концентрацией примерно 1,0 × 10 ¹² атомов / см от ² до примерно 1,0 × 10 ¹⁴ атомов / см ² и с энергией от примерно 100 кэВ до примерно 500 кэВ. Такая первая легирующая добавка формирует P-лунку в активной области ACT устройства и влияет на легирование в области канала МОП-транзистора. P-лунка сформирована на глубине полупроводниковой подложки , 100, , показанной на чертежах, так что конкретный ссылочный номер не показан для P-лунки на чертежах.Однако формирование такой P-лунки внутри полупроводниковой подложки индивидуально известно среднему специалисту в данной области.

Хотя это и не показано на чертежах, настоящее изобретение может быть реализовано на практике, когда другая легирующая добавка, которая представляет собой легирующую добавку N-типа, такую ​​как мышьяк или фосфор, также имплантируется ионами. Такая легирующая примесь N-типа должна быть имплантирована с относительно низкой концентрацией, такой как от около 1,0 × 10 ¹² атомов / см ² до около 1,0 × 10 ¹⁴ атомов / см ² и с энергией около 20 кэВ. примерно до 50 кэВ.Такая легирующая добавка N-типа, имплантированная в область канала, используется для определения порогового напряжения МОП-транзистора. Однако настоящее изобретение может быть реализовано на практике с такой дополнительной легирующей добавкой N-типа для области канала МОП-транзистора или без нее.

Как показано на фиг. 2E и 2F, второй слой оксида прокладки 108 и второй слой жесткой маски , 110, последовательно наносятся на полупроводниковую подложку 100 . Второй слой оксида прокладки 108 формируется так, чтобы он имел толщину от примерно 200 Å до примерно 500 Å в процессе осаждения MTO (среднетемпературного оксида).Второй твердый маскирующий слой , 110, осаждается из нитрида кремния или оксинитрида кремния (SiON) толщиной от примерно 300 до примерно 1000 Å в процессе CVD (химического осаждения из паровой фазы).

Как показано на фиг. 2F и 2G, фоторезист наносится и формируется рисунок на втором слое жесткой маски , 110, в процессе фотолитографии, чтобы экспонировать части второго слоя жесткой маски , 110, в области затвора G. Такие открытые части второго слоя жесткой маски 110, , вытравлены в процессе сухого травления, чтобы обнажить участки второго слоя оксида прокладки 108 .Второй слой оксида прокладки , 108, представляет собой ограничитель травления во время травления второго слоя твердой маски , 110, . После этого фоторезист удаляется.

Как показано на фиг. 2G и 2H, открытые участки второго слоя оксида прокладки , 108, вытравливаются, чтобы обнажить участки полупроводниковой подложки , 100, , в процессе сухого травления с использованием второго твердого маскирующего слоя , 110, в качестве маски травления. Открытые части полупроводниковой подложки , 100, вытравлены на заданную глубину, чтобы сформировать вторую канавку T 2 .Второй слой жесткой маски , 110, и второй слой оксида прокладки 108, действуют как слои маски травления во время формирования второй канавки T 2 и определяют критические размеры второй канавки T 2 .

В одном варианте осуществления настоящего изобретения второй слой твердой маски , 110, представляет собой временный слой, который полностью или частично вытравливается во время формирования второй канавки T 2 . Процесс BE для формирования рисунка на втором слое оксида прокладки 108 и процесс ME для формирования рисунка на полупроводниковой подложке 100 для формирования второй канавки T 2 выполняются на месте с различными видами химически активных газов в одном устройстве травления.

Поскольку глубина второй канавки T 2 может варьироваться в зависимости от открытого критического размера (т. Е. Размера, параллельного поверхности полупроводниковой подложки 100 ), вторая канавка T 2 формируется так, чтобы иметь равномерный открытый критический размер (CD) для постоянной глубины. Например, вторая траншея T 2 сформирована так, чтобы иметь открытый CD от примерно 500 Å до примерно 1000 Å и глубину от примерно 1000 Å до примерно 2000 Å.

Хотя это не показано на чертежах, настоящее изобретение может быть реализовано на практике с другим процессом травления, выполняемым после формирования второй канавки T 2 для дальнейшего травления в боковых стенках второй канавки T 2 .Такой дополнительный процесс травления может представлять собой изотропный процесс CDE (химическое сухое травление) или изотропный процесс влажного травления. Такое дополнительное травление боковых стенок второй канавки T 2 дополнительно отделяет область S истока от области D стока и увеличивает глубину второй канавки T 2 . Настоящее изобретение может быть реализовано с таким дополнительным протравливанием боковых стенок второй траншеи T 2 или без него.

Как показано на фиг. 2H и 2I, второй слой твердой маски , 110, и второй слой оксида прокладки 108 удаляются посредством процесса влажного травления, чтобы обнажить поверхности полупроводниковой подложки 100 .Обращаясь к фиг. 2I и 2J, диэлектрик затвора , 112, сформирован на открытых поверхностях полупроводниковой подложки , 100, , в том числе на стенках второй канавки T 2 . Диэлектрик затвора , 112, состоит из диоксида кремния (SiO ₂ ), имеющего толщину от примерно 30 Å до примерно 120 Å, образованного в процессе термического окисления в одном варианте осуществления настоящего изобретения.

Ссылаясь на фиг. 2J и 2K, электрод затвора , 114, представляет собой поверхностное покрытие, осажденное для заполнения второй траншеи T 2 .Электрод затвора , 114, состоит из поликремния, осажденного в процессе CVD (химического осаждения из паровой фазы) в одном варианте осуществления настоящего изобретения. Кроме того, металлический слой , 116, нанесен на электрод затвора , 114, и состоит из силицида металла, такого как силицид вольфрама или силицид титана, в одном варианте осуществления настоящего изобретения. После этого верхний изолирующий слой затвора , 118, , состоящий, например, из нитрида кремния, наносится на металлический слой , 116, .

Как показано на фиг. 2K и 2L фоторезист наносится и наносится узор на верхний изолирующий слой затвора , 118, в процессе фотолитографии. Части верхнего изолирующего слоя затвора , 118, , металлического слоя , 116, и электрода затвора, , 114, над областями истока и стока S и D, а также изолирующей пленкой устройства , 106, , последовательно вытравливаются сухим травлением. процесс с использованием фоторезиста в качестве маски для травления. После такой структуры пакет затворов , 120, , состоящий из электрода затвора , 114, , силицида затвора , 116, , и изолирующей структуры затвора , 118, , формируется в области G затвора, как показано на фиг.2л.

Ссылаясь на фиг. 2L и 2M, примесь N-типа имплантируется в области S и D истока и стока с относительно низкой концентрацией примерно 1,0 × 10 ¹² атомов / см от ² до примерно 1,0 × 10 ¹³ атомов / см ² и с энергией от примерно 20 кэВ до примерно 50 кэВ для формирования областей LDD (слаболегированный сток) 122 . Во время такой имплантации блок затворов , 120, действует как маска для ионной имплантации. Настоящее изобретение может быть реализовано на практике, когда области LDD , 122, сформированы так, чтобы быть глубже или меньше, чем вторая траншея T 2 .В альтернативном варианте осуществления настоящего изобретения области , 122, LDD могут быть сформированы после формирования P-лунки на фиг. 2Е и перед формированием второй траншеи Т 2 .

Ссылаясь на фиг. 2M и 2N, фоторезист PR наносится и структурируется в процессе фотолитографии с удалением части фоторезиста из области S источника. После этого вторая легирующая добавка, имеющая первый тип проводимости легирующей примеси в области канала (т. Е. P -в лунке) имплантируется в область S источника, чтобы сформировать область остановки канала 130 .

В одном варианте осуществления настоящего изобретения, когда P-образная лунка сформирована на фиг. 2E, вторая легирующая добавка для формирования области остановки канала 130 представляет собой легирующую добавку P-типа, такую ​​как бор или BF ₂ , имплантированная с относительно высокой концентрацией примерно 1,0 × 10 ¹³ атомов / см ² до примерно 1,0 × 10 ¹⁵ атомов / см ² и с энергией от примерно 30 кэВ до примерно 70 кэВ. Во время такой имплантации фоторезист PR и стопка затворов , 120, действуют как маски для ионной имплантации.

В одном варианте осуществления настоящего изобретения область остановки канала 130 глубже, чем область LDD 122 , сформированная в исходной области S. второй желоб Т 2 . В качестве альтернативы настоящее изобретение может быть реализовано на практике с областью перекрытия канала , 130, , проходящей за пределы глубины второй траншеи T 2 до области G затвора под второй траншеей T 2 .

После образования зоны остановки канала 130 фоторезист PR удаляется. Обращаясь к фиг. 2O, распорка , 124, сформирована на боковых стенках стопки затворов , 120, . Для формирования такой прокладки 124 изоляционный материал, такой как нитрид кремния, оксинитрид кремния или диоксид кремния, конформно осаждается в процессе CVD (химического осаждения из паровой фазы). Затем такой изоляционный материал подвергается анизотропному сухому травлению с образованием прокладки , 124, , состоящей из изоляционного материала.

Ссылаясь на фиг. 2O и 2P, в области истока и стока, S и D, имплантируется третья легирующая добавка второго типа, противоположная первому типу проводимости легирующей примеси области остановки канала , 130, в области истока и стока, S и D. Например, когда область остановки канала 130 формируется с легирующей примесью P-типа, легирующая добавка N-типа, такая как As или фосфор, имплантирована ионами с относительно высокой концентрацией примерно 1,0 × 10 ¹⁵ атомов / см ² до примерно 1.0 × 10 ¹⁶ атомов / см ² и с энергией от примерно 10 кэВ до примерно 30 кэВ. Такая имплантация является самоустанавливающейся с прокладкой , 124, и блоком затворов , 120, , действующими как маски для ионной имплантации. Кроме того, такая имплантация формирует переходы истока и стока 126 .

Переход истока , 126, формируется для истока МОП-транзистора в области истока S, а переход стока , 126, формируется для стока МОП-транзистора в области стока D.Переход , 126, истока не должен формироваться глубже, чем область остановки канала , 130, , так чтобы переход , 126, истока полностью содержался в области остановки канала , 130, . Кроме того, дренажный переход D не должен формироваться глубже, чем область , 122, LDD, так чтобы область стока , 126, полностью содержалась в области , 122, LDD.

Ссылаясь на фиг. 2P и 2Q, части диэлектрика затвора , 112, над областями S и D истока и стока удалены.Обращаясь к фиг. 2Q и 2R, проводящий материал, такой как поликремний с легирующей примесью N-типа, нанесен на полупроводниковую подложку 100 . Затем выполняется процесс CMP (химико-механическая полировка) до тех пор, пока изолирующая структура затвора , 118, не будет открыта для формирования электродов истока и стока 128 a и 128 b соответственно. Электрод истока 128 a электрически соединен с переходом истока 126 в области S истока, а электрод стока 128 b электрически соединен с переходом стока 126 в области стока D .

Затем наносится межслойный изолирующий материал, и часть такого межслойного изолирующего материала над областью S источника вытравливается с образованием отверстия для контакта с источником. Когда МОП-транзистор используется в ячейке памяти, контакт разрядной шины заполняет такое контактное отверстие истока, которое электрически соединяется с электродом истока 128 a . Дополнительный межслойный изолирующий материал наносится, чтобы окружить контакт разрядной линии, и часть таких межслойных изолирующих материалов над областью D стока вытравливается, чтобы сформировать контактное отверстие стока.Электрод хранения заполняет такое контактное отверстие стока, чтобы быть электрически соединенным с электродом стока 128 b.

Кроме того, диэлектрический слой и пластинчатый электрод также сформированы для конденсатора ячейки, который хранит заряд данных, когда МОП-транзистор на фиг. 2R используется в ячейке памяти. Однако МОП-транзистор на фиг. 2R может использоваться в любых других типах интегральных схем, использующих транзистор.

Таким образом, как показано на фиг.2R, NMOSFET (N-канальный металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) сформирован с переходами истока и стока , 126, , содержащими примесь N-типа. Область остановки канала , 130, с легирующей примесью P-типа сформирована непосредственно внутри области S источника, так что полевой МОП-транзистор на фиг. 2R асимметричен. Часть P-лунки полупроводниковой подложки , 100, , примыкающая к диэлектрику затвора , 112, , образует область канала МОП-транзистора на фиг.2R.

Поскольку переход истока , 126, полностью содержится в области остановки канала P-типа , 130, , эффекты короткого канала уменьшаются в МОП-транзисторе на фиг. 2R. Уменьшая эффекты короткого канала, размеры второй траншеи T 2 , включая глубину и открытый критический размер, могут быть уменьшены, так что МОП-транзистор на фиг. 2R может быть изготовлен с более высокой плотностью. Кроме того, с областью остановки , 130, канала P-типа пороговое напряжение МОП-транзистора на фиг.2R может быть преимущественно увеличен для уменьшения нежелательного тока утечки.

Кроме того, с помощью области остановки канала P-типа , 130, для регулировки порогового напряжения МОП-транзистора на фиг. 2R, концентрация легирующего вещества, имплантированного для формирования области канала на фиг. 2E и / или для формирования области LDD , 122, на фиг. 2M может быть уменьшено. При такой более низкой концентрации легирующей примеси в области канала и области , 122, LDD, ток утечки перехода в области D стока уменьшается для улучшения характеристик восстановления, когда MOS-транзистор на фиг.2R является частью ячейки памяти. В одном варианте осуществления настоящего изобретения с формированием стопорной области канала P-типа 90, 100, 130, имплантация легирующей примеси P-типа для области канала на фиг. 2E можно исключить.

Вышеизложенное приведено только в качестве примера и не предназначено для ограничения. Например, любые конкретные типы процессов, упомянутые для формирования концевых структур МОП-транзистора на фиг. 2R приведены только в качестве примера, и другие типы процессов также могут использоваться для формирования концевых структур МОП-транзистора на фиг.2R. Кроме того, любые размеры и материалы, указанные здесь, приведены только в качестве примера.

Кроме того, настоящее изобретение описывается с областью остановки канала 130 , сформированной так, чтобы полностью содержать переход 126 истока внутри области S. Однако настоящее изобретение также может быть реализовано на практике с областью остановки канала 130 , сформированный так, чтобы полностью содержать дренажный переход 126 в дренажной области D (т.е.е., с перевернутыми обозначениями областей D и S на рисунках).

Кроме того, на фиг. 2A — 2 R. Однако настоящее изобретение может быть реализовано на практике для формирования PMOSFET, когда проводимость легирующей примеси в структурах MOS-транзистора инвертирована, как будет очевидно специалисту в данной области техники из приведенного здесь описания.

Настоящее изобретение ограничено только нижеследующей формулой изобретения и ее эквивалентами.

Коэффициент удельного сопротивления, зарегистрированный для траншеи 9 в течение всего мониторинга …

Контекст 1

… усилить эту функцию, отношение удельного сопротивления по отношению к эталонному времени было отображено в четырех различных временных точках (Рисунок 8), два временно размещены в марте (t 2 и t 6), а два других — в июле (t 9 и t 10 указаны на Рисунке 4). Вода 2020, 12, x ДЛЯ СОВРЕМЕННОГО ОБЗОРА 14 из 22 В июле из-за логистических проблем не было возможности отслеживать различные фазы смачивания-сушки, как в марте….

Контекст 2

… Чтобы улучшить эту функцию, отношение удельного сопротивления по отношению к эталонному времени было отображено в четырех разных временных точках (рис. 8), два временно помещены в марте (t2 и t6) и два других — в июле (t9 и t10 указаны на рисунке 4). …

Контекст 3

… диаграммы удельного сопротивления, наблюдаемые между двумя тестовыми периодами, четкие. Удельное сопротивление постепенно уменьшалось в моменты времени t2 и t6, показывая неоднородную картину между южной и северной частями траншеи, как также показано на Рисунке 7.Четыре месяца спустя, в момент времени t9, распределение коэффициента сопротивления достигло своего минимального значения по всему интересующему объему, а позже, в момент времени t10, рис. 8. Коэффициент сопротивления, зарегистрированный для траншеи 9 за весь период мониторинга в момент времени: t 2 , 19 ч после разброса 1715 м 3; t 6, 17 ч после разбрасывания 2000 м 3; t 9, 32 ч после разброса 3635 м 3; t 10, по окончании мониторинга ERT. …

Context 4

… корреляция между величиной изменений насыщенности и количеством растекшейся воды четко визуализирована на рисунке 11, полученная путем преобразования изображений ERT, показанных на рисунке 8.В июле распространение 3653 м 3 воды вызвало сильное подповерхностное насыщение всего объема траншеи; в марте второе распространение (2000 м 3) вызвало более высокие значения насыщения, чем зарегистрированные после первого распространения (1715 м 3), из-за более высокого начального значения подповерхностного насыщения. …

LowPro 15/10 | Покрытие траншеи

Отмеченное наградой покрытие траншеи LowPro ^® 15/10 — это подъездная доска, подходящая для транспортных средств весом 3,5 тонны над траншеей 900 мм и использующая нашу запатентованную технологию гибких кромок.

Закройте траншею полосой заполнения

Полоса заполнения завершает систему покрытия траншеи LowPro®: используется для соединения нескольких заглушек траншеи в линию для предотвращения сноса. Заполняющая полоса имеет дополнительное преимущество, так как устраняет опасность споткнуться между крышками траншей LowPro®. Этот легкий наполнитель для покрытия траншеи доступен как в маленьком, так и в большом размере — в зависимости от ориентации покрытия траншеи над траншеей.

Испытано и протестировано с National Grid

Компания Cadent (ранее известная как National Grid) заказала Oxford Plastics создать дорожку для пешеходов и проезжей части.Эта подъездная доска способна выдержать 1 колесо автомобиля массой 3,5 тонны. Мы учли отзывы коммунальных предприятий и подрядчиков на протяжении всего процесса проектирования, и так родился LowPro® 15/10!

Anti-slip соответствует последнему коду

Запатентованная технология Flexi-Edge делает наш чехол LowPro Trench Cover противоскользящим. Он сформирован по технологии предотвращения скольжения на нижней стороне и краях защитной доски LowPro®, изготовлен из мягкого, гибкого, резинового материала, который захватывает поверхность, уменьшая нежелательное движение.Резиновые края можно заменить, чтобы продлить срок службы LowPro®.

Попрощайтесь с болтами

LowPro ^® 15/10 соответствует спецификации T / SP / E / 42 National Grid Footway Board. Его не нужно привинчивать на место, что сокращает время установки.

Безопасный, простой и прочный

LowPro® — легкая и простая в обращении альтернатива стальному листу. Эта доска для покрытия траншеи устанавливается за считанные секунды с помощью легкого подъема для 2 человек, что означает отсутствие необходимости в специальном подъемном оборудовании.

• Отмеченная наградами подъездная доска с подъемником для 2 человек
• Соединение подъездных дорожек с помощью длинных или коротких полос заполнения
• Подходит для транспортных средств 3,5 т над траншеей 900 мм и пешеходов над траншеей 1200 мм
• Разработано с использованием национальной сети
• Соответствует рекомендациям HAUC на 2018/01 год
• Края покрытия траншеи LowPro захватывают асфальт — штифты не требуются в большинстве случаев
• Формованная противоскользящая поверхность
• Оснащена газоотводными отверстиями и отверстием для зонда
• Ударопрочность
• Использование с LowPro Infill для устранения опасностей споткнуться
• Доступен фирменный знак
• Доступны индивидуальные цвета
• Разработано и произведено в Великобритании

Для получения дополнительной информации о наших досках для покрытия траншей свяжитесь с одним из наших экспертов.Или же просмотрите наш полный ассортимент траншейных покрытий и дорожных плит.

Канальный выпрямитель Шоттки с очень низким прямым напряжением

% PDF-1.4
%
1 0 объект
>
эндобдж
5 0 obj
>
эндобдж
2 0 obj
>
эндобдж
3 0 obj
>
ручей
BroadVision, Inc.2020-10-21T17: 15: 38 + 08: 002013-01-28T11: 17: 03-07: 002020-10-21T17: 15: 38 + 08: 00application / pdf

Акробат Дистиллятор 9.5.3 (Windows) uuid: f8cb8902-29a2-457f-b6ed-a665dd4f6a8duuid: 73b1a145-72c1-4cc9-bf06-9b7772bbf3ef

конечный поток
эндобдж
4 0 obj
>
эндобдж
6 0 obj
>
эндобдж
7 0 объект
>
эндобдж
8 0 объект
>
эндобдж
9 0 объект
>
эндобдж
10 0 obj
>
эндобдж
11 0 объект
>
эндобдж
12 0 объект
>
эндобдж
13 0 объект
>
эндобдж
14 0 объект
>
эндобдж
15 0 объект
>
эндобдж
16 0 объект
>
эндобдж
17 0 объект
>
эндобдж
18 0 объект
>
эндобдж
19 0 объект
>
эндобдж
20 0 объект
>
эндобдж
21 0 объект
>
ручей
HVr6 # bɎ qaNEJTHʎ] D *, ٳ g J | Nh? Pzcmr>? «& 1LBp ^ 3B ፽ ׉ w |> y 𤳑 9QG2» cB (d ߓ $$ ## T * Pʄ3YY \ ʥY65guS> #] Ȩ
# -Te \ & ~ ɥvD ؂ ܗ; Aj «T ܚ5 w * Lpkh | ¥ 10
) M, gf =), mr 﫩 z! =! Ua9`9q ߌ sfFfAKE + ZZőMYZ ~ FY} S (H | W-d 計 * ˞ %% \
W $ Rv «MNN_.$ a: \ DHo * / pU> yY = UO? ζ, tfYf7: F | 4Ik3q6 / ƅH ~: zk & M5T ڒ] IErUWKfVVRiQl; uwD8Y $ e | ʷq + DPwl [«YeIQyr / * | P? q.Dg $ r2gf ] n2 {o & PuBv ִ (jXk7 ဠ {

ʛy9 | IʪaD> F] r $ ej3Jl, rwcqI! 1lf, 4ZnSB $ HS ‘+ ~ XbJŮGSwqC @ i) oy ~ ColX)

.

alexxlab